BCP53QTA

PWR MID PERF TRANSISTOR SOT223 T

类型PNP
集射极耐压80 V
集电极电流1 A
放大倍数 hFE40

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技术参数

类型PNP
集射极耐压80 V
集电极电流1 A最大
放大倍数 hFE40150mA
功率2 W最大
电源
Current - Collector Cutoff (Max)100nA (ICBO)
Current - Collector (Ic) (Max)1 A
Power - Max2 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)80 V
交流 / 直流特性
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce40 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition150MHz
环境与封装
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature-65°C~150°C(TJ)
PackageTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-261-4, TO-261AA
Supplier Device PackageSOT-223-3
其他
MfrDiodes Incorporated
Product StatusActive
SeriesAutomotive, AEC-Q101
Transistor TypePNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic500mV @ 50mA, 500mA

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