CBI(创基)中国

BC818C

单个双极晶体管
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技术参数

电源
IC-最大集电极电流2A
VCBO-集基级击穿电压30V
VCEO-集射级击穿电压30V
VEBO-射基级击穿电压5V
交流 / 直流特性
fT-变换频率NMHZ
hFE-最小直流增益100
环境与封装
封装类型1SOT23
其他
Pd-功率耗散1W
VCE(sat)-集射级饱和压降0.18V
引脚数量16

技术资料

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