晶体管类型:PNP 集射极击穿电压(Vceo):45V 集电极电流(Ic):500mA 集电极截止电流(Icbo):100nA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):700mV@500mA,50mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):250@100mA,1V 特征频率(fT):80MHz 工作温度:-55~+150℃@(Tj)

问 AI FAE数据手册 PDF
类型PNP
集射极耐压45 V
集电极电流500 mA
功率200 mW

全部替代型号

查看完整报告

技术参数

类型PNP
集射极耐压45 V
集电极电流500 mA最大
功率200 mW最大
电源
集射极击穿电压(Vceo)45V
集电极电流(Ic)500mA
其他
晶体管类型PNP
耗散功率(Pd)200mW

技术资料