HXY MOSFET(华轩阳电子)中国

该肖特基二极管采用独立式配置，具有0.35A的正向电流能力，反向重复峰值电压为40V。其正向压降为0.6V，在导通时可有效控制功耗；反向漏电流低至5μA，确保良好的关断特性。器件能承受高达2A的正向浪涌电流（IFSM），适用于电源整流、信号解调、电压箝位以及各类对效率和响应速度有要求的电子电路中。