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APP50N06

晶体管 - FET，MOSFET - 单

1个N沟道 耐压:60V 电流:50A

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沟道N 沟道
耐压60 V
连续漏极电流50 A

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技术参数

沟道N 沟道
耐压60 V
连续漏极电流50 A
电源
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)50A
其他
数量1个N沟道
耗散功率(Pd)120W

技术资料

数据手册数据手册 · 892.0 KB · 2026-09-21
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