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AP30P06K

晶体管 - FET，MOSFET - 单

P沟道,电流:-30A,耐压:-60V

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沟道P 沟道
耐压60 V
连续漏极电流30 A
导通电阻38 mΩ

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技术参数

沟道P 沟道
耐压60 V
连续漏极电流30 A
导通电阻38 mΩ最大 · 4.5V
电源
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)30A
其他
导通电阻(RDS(on))38mΩ@4.5V
数量1个P沟道

技术资料

数据手册数据手册 · 680.8 KB · 2026-09-21
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