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AP200N04

晶体管 - FET，MOSFET - 单

N沟道增强型MOSFET,电流:160A,耐压:40V

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沟道N 沟道
耐压40 V
连续漏极电流160 A
导通电阻4 mΩ

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技术参数

沟道N 沟道
耐压40 V
连续漏极电流160 A
导通电阻4 mΩ最大 · 4.5V
电源
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)160A
其他
导通电阻(RDS(on))4mΩ@4.5V
数量1个N沟道

技术资料

数据手册数据手册 · 1.7 MB · 2026-09-21
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