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AO4485

晶体管 - FET，MOSFET - 单

广泛应用于电池管理系统、电源转换及各类高效能电子设备中，实现卓越的功率控制与能效管理。

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沟道P 沟道

耐压40 V

连续漏极电流11 A

导通电阻12 mΩ

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技术参数

沟道P 沟道

耐压40 V

连续漏极电流11 A

导通电阻12 mΩ最大 · 10V

电源
漏源电压(Vdss)	40V
连续漏极电流(Id)	11A
其他
导通电阻(RDS(on))	12mΩ@10V,11A
数量	1个P沟道

技术资料

数据手册数据手册 · 35.2 MB · 2026-09-21 数据手册数据手册 · 7.2 MB · 2026-09-21 数据手册数据手册 · 2.0 MB · 2026-09-21 数据手册数据手册 · 1.6 MB · 2026-09-21 数据手册数据手册 · 622.4 KB · 2026-09-21 数据手册数据手册 · 413.5 KB · 2026-09-21 数据手册数据手册 · 371.1 KB · 2026-09-21 数据手册数据手册 · 225.2 KB · 2026-09-21

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