YTL(亚特联)中国

AO3400A

晶体管 - FET，MOSFET - 单

N沟道MOSFET，高密单元设计，低导通电阻，适用于负载/电源开关和接口开关

问 AI FAE
沟道N 沟道
耐压30 V
连续漏极电流5.8 A
导通电阻31 mΩ

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技术参数

沟道N 沟道
耐压30 V
连续漏极电流5.8 A
导通电阻31 mΩ最大 · 10V
电源
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)5.8A
其他
导通电阻(RDS(on))31mΩ@10V
数量1个N沟道

技术资料

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