HXY MOSFET(华轩阳电子)中国

这款N沟道MOSFET具有连续漏极电流（ID）100A的能力，能够支持大电流的应用需求。其最大漏源电压（VDS）为30V，确保了在不同电压环境下的可靠性。该MOSFET的导通电阻（RDSON）低至3.8mΩ，有助于减少发热并提高转换效率。最大栅源电压（VGS）为20V，增加了电路设计的灵活性。适用于多种电源转换和控制场景，包括但不限于开关电源、信号放大及保护电路等。