7P1-VB
晶体管 - FET，MOSFET - 单SOT23；P—Channel沟道,-100V；-1.5A；RDS(ON)=500mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-2.5V；
沟道P 沟道
耐压100 V
连续漏极电流1.5 A
导通电阻560 mΩ
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沟道P 沟道
耐压100 V
连续漏极电流1.5 A
导通电阻560 mΩ最大 · 6V
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 100V |
| 连续漏极电流(Id) | 1.5A |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 560mΩ@6V |
| 数量 | 1个P沟道 |