TF(拓锋)中国

N和P通道增强模式功率MOSFET,电流:3.4A,耐压:20V

沟道N + P
耐压20 V
连续漏极电流2.5 A
导通电阻75 mΩ

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技术参数

沟道N + P
耐压20 V
连续漏极电流2.5 A
导通电阻75 mΩ最大 · 4.5V
电源
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)2.5A
其他
导通电阻(RDS(on))75mΩ@4.5V
数量1个N沟道+1个P沟道

技术资料