QNHCHIP(乾能惠)中国

50N06-Q

晶体管 - FET，MOSFET - 单

N沟道功率MOSFET，具备低导通电阻和卓越开关性能，适用于低功率开关模式电器和电子镇流器

问 AI FAE
沟道N 沟道
耐压60 V
连续漏极电流50 A
导通电阻15 mΩ

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技术参数

沟道N 沟道
耐压60 V
连续漏极电流50 A
导通电阻15 mΩ最大 · 10V
电源
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)50A
其他
导通电阻(RDS(on))15mΩ@10V
数量1个N沟道

技术资料

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