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4N60L-TF1-T

晶体管 - FET，MOSFET - 单
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耐压600 V
连续漏极电流4 A
导通电阻2.5 Ω

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技术参数

耐压600 V
连续漏极电流4 A
导通电阻2.5 Ω最大 · 10V
电源
漏源电压(Vdss)600V
连续漏极电流(Id)4A
其他
导通电阻(RDS(on))2.5Ω@10V
耗散功率(Pd)36W

技术资料

数据手册数据手册 · 49.4 MB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 441.1 KB · 2026-09-21
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