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4N60KG-TC

晶体管 - FET，MOSFET - 单
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沟道N 沟道
耐压600 V
连续漏极电流4 A
阈值电压4 V

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技术参数

沟道N 沟道
耐压600 V
连续漏极电流4 A
阈值电压4 V最大
电源
漏源电压(Vdss)600V
连续漏极电流(Id)4A
阈值电压(Vgs(th))4V
其他
数量1个N沟道

技术资料

数据手册数据手册 · 491.5 KB · 2026-09-21
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