Sanyo日本

MOSFET N-CH 60V 15A 25W 2063A

Sanyo 2SK1419 是一款 N 沟道硅 MOSFET,采用 2063A 封装,无源极保护二极管,适用于超高速开关应用,具有低导通电阻。规格书核对

问 AI FAE数据手册 PDF

全部替代型号

查看完整报告

技术参数

规格书核对参数

16 项
参数值和测试条件出处
封装2063A
工作温度-55 to +150 °C
漏源电压60 V
栅源电压±20 V
漏极电流 (DC)15 A
漏极电流 (脉冲)60 A (PW≤10μs, duty cycle≤1%)
允许耗散功率25 W (Tc=25°C)
允许耗散功率 (自然冷却)2.0 W
沟道温度150 °C
漏源击穿电压60 V (ID=1mA, VGS=0)
零栅压漏极电流100 μA (VDS=60V, VGS=0)
栅源漏电流±100 nA (VGS=±20V, VDS=0)
截止电压1.5 to 2.5 V (VDS=10V, ID=1mA)
正向传输导纳6.0 to 10 S (VDS=10V, ID=10A)
静态漏源导通电阻60 to 80 mΩ (ID=10A, VGS=10V)
保护功能No protection diode between gate and source
全部参数(7 项)展开收起
电源
Allowable Power Dissipation25 W
Cutoff Voltage1.5 V (Min)
Drain Current (DC)15 A
Drain-to-Source Voltage60 V
环境与封装
Package2063A
Storage Temperature-55 to +150 °C
其他
Static Drain-to-Source ON-State Resistance80 mΩ (Max)

引脚与封装

封装2063A

脚位名称功能出处
1漏极 (Drain)
2栅极 (Gate)
3源极 (Source)

技术资料

规格书核对内容由 AI 从原厂规格书提取,点页码查看原文。