NEC Corporation日本

2SC5006

晶体管 - 双极（BJT） - 单管3 PINS ULTRA SUPER MINI MOLD

TRANSISTOR NPN 12V 100MA 3PINS ULTRA SUPER MINI MOLD

NPN硅外延晶体管，VCEO 12V，IC 100mA，PT 125mW，3引脚Ultra Super Mini Mold封装，适用于VHF至UHF频段低噪声小信号放大器。规格书核对

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类型NPN

集射极耐压12 V

集电极电流100 mA

放大倍数 hFE80 ~ 160

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技术参数

类型NPN

集射极耐压12 V

集电极电流100 mA最大

放大倍数 hFE80 ~ 160Max 160 (VCE = 3 V，IC = 7 mA)

功率125 mW最大

规格书核对参数

16 项

参数	值和测试条件	出处
类型	NPN
集射极耐压	12 V (Max)
集电极电流	100 mA (Max)
放大倍数 hFE	Min 80, Max 160 (VCE = 3 V, IC = 7 mA)
功率	125 mW (Max)
封装	3 PINS ULTRA SUPER MINI MOLD
工作温度	150 °C (Max)
存储温度	-60 to +150 °C
集基极耐压	20 V (Max)
射基极耐压	3.0 V (Max)
集电极截止电流	1.0 µA (Max) (VCB = 10 V, IE = 0)
发射极截止电流	1.0 µA (Max) (VEB = 1 V, IC = 0)
特征频率	Min 3.0 GHz, Typ 4.5 GHz (VCE = 3 V, IC = 7 mA, f = 1 GHz)
反馈电容	Typ 0.7 pF, Max 1.5 pF (VCB = 3 V, IE = 0, f = 1 MHz)
插入功率增益	Min 7.0 dB, Typ 9.0 dB (VCE = 3 V, IC = 7 mA, f = 1 GHz)
噪声系数	Typ 1.2 dB, Max 2.5 dB (VCE = 3 V, IC = 7 mA, f = 1 GHz)

全部参数（8 项）展开收起

电源
Collector Current	100 mA
Collector to Emitter Voltage	12 V
Total Power Dissipation	125 mW
交流 / 直流特性
DC Current Gain	80 to 160
Gain Bandwidth Product	4.5 GHz (Typ)
Noise Figure	1.2 dB (Typ)
环境与封装
Junction Temperature	150 °C
Package	3 PINS ULTRA SUPER MINI MOLD

引脚与封装

封装3 PINS ULTRA SUPER MINI MOLD

脚位	名称	功能	出处
1		发射极
2		基极
3		集电极

器件图片

技术资料

数据手册数据手册 · 64.4 KB · 2026-11-09

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规格书核对内容由 AI 从原厂规格书提取，点页码查看原文。