2SB1260T100P

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不推荐用于新设计晶体管 - 双极(BJT) - 单管TO-243AA

TRANS PNP 80V 1A MPT3

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类型PNP
集射极耐压80 V
集电极电流1 A
放大倍数 hFE82

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技术参数

类型PNP
集射极耐压80 V
集电极电流1 A最大
放大倍数 hFE82100mA
功率2 W最大
电源
Current - Collector Cutoff (Max)1µA (ICBO)
Current - Collector (Ic) (Max)1 A
Power - Max2 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)80 V
交流 / 直流特性
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce82 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition100MHz
环境与封装
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature150°C(TJ)
PackageTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-243AA
Supplier Device PackageMPT3
其他
Base Product Number2SB1260
MfrRohm Semiconductor
Product StatusNot For New Designs
Series-
Transistor TypePNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic400mV @ 50mA, 500mA

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