2N7002W

2N7002W

不推荐用于新设计单 FET,MOSFET

60V, N Channel, Small Signal MOSFETs

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技术参数

电源
最大开启电压 VGS(th) (V)2
最大栅极漏电流 IGSS (nA)±1
最大栅源电压 VGS (V)±20
最大漏极电流 ID (A)0.115
沟道极性 Channel PolarityN
漏源击穿电压 VDSS (V)60
环境与封装
REACH 合规YES
RoHS 合规YES
封装 PackageSOT-323
其他
AEC-Q 车规认证NO
典型导通电阻 RDS(on)4400
出口管制编码 ECCNEAR99
无卤 Halide-freeYES
无铅 Pb-freeYES
最低结温 Tj min (℃)-50
最大导通电阻 RDS(on)13500
最大耗散功率 PD (W)0.2
最高结温 Tj max (℃)150
生命周期 Marketing Statusnot for new design
结构 ConfigurationSingle

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技术资料