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2N7002W

晶体管 - FET，MOSFET - 单
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沟道N 沟道
耐压60 V
导通电阻4.4 Ω
阈值电压1 V

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技术参数

沟道N 沟道
耐压60 V
导通电阻4.4 Ω最大 · 10V
阈值电压1 V最大
电源
漏源电压(Vdss)60V
阈值电压(Vgs(th))1V
其他
导通电阻(RDS(on))4.4Ω@10V,0.5A
数量1个N沟道

技术资料

数据手册数据手册 · 1.1 MB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 1.0 MB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 969.4 KB · 2026-09-21
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