Siliup(矽普)中国

2N7002W

晶体管 - FET，MOSFET - 单

小电流MOSFET产品，N沟道，耐压：60V，电流：0.3A, Rdson：1100mR

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耐压60 V
连续漏极电流300 mA
导通电阻4 Ω

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技术参数

耐压60 V
连续漏极电流300 mA
导通电阻4 Ω最大 · 4.5V
电源
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)300mA
其他
导通电阻(RDS(on))4Ω@4.5V
耗散功率(Pd)200mW

技术资料

数据手册数据手册 · 1.5 MB · 2026-09-21
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