2N7002W
晶体管 - FET，MOSFET - 单这款N型场效应管具有0.1A的电流处理能力和60V的耐压范围。其内阻典型值为1300毫欧姆，适用于低功耗电路设计。VGS为20V，确保稳定的开关控制。适合用于电源管理、信号放大及开关电路等应用，提升系统稳定性和效率。(2N7002W-7-F)
沟道N 沟道
耐压60 V
连续漏极电流115 mA
导通电阻3 Ω
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沟道N 沟道
耐压60 V
连续漏极电流115 mA
导通电阻3 Ω最大 · 10V
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 连续漏极电流(Id) | 115mA |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3Ω@10V,0.115A |
| 数量 | 1个N沟道 |