ALJ(龙晶微)中国

2N7002K

晶体管 - FET，MOSFET - 单

类型: 1个N沟道 漏源电压(Vds): 60V 连续漏极电流(Id): 340mA 功率: 350mW

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耐压60 V
连续漏极电流340 mA
阈值电压2.5 V

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技术参数

耐压60 V
连续漏极电流340 mA
阈值电压2.5 V最大 · 250uA
电源
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)340mA
阈值电压(Vgs(th))2.5V@250uA
其他
耗散功率(Pd)350mW

技术资料

数据手册数据手册 · 2.1 MB · 2026-09-21
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