SOT-23 (TO-236)
Vishay美国

2N7002K-T1-GE3

晶体管 - FET,MOSFET - 单SOT-23

N沟道,60V,0.3A,2Ω@10V

N沟道60V单MOSFET,SOT-23封装,连续漏极电流0.3A,导通电阻最大2Ω,低阈值电压,适用于逻辑电平驱动。规格书核对

沟道N 沟道
耐压60 V
连续漏极电流190 ~ 300 mA
导通电阻2 Ω

全部替代型号

查看完整报告

已收录 4 个替代型号,其中国产替代 1 个,登录后查看。

技术参数

沟道N 沟道
耐压60 V
连续漏极电流190 ~ 300 mA0.3 A (TA = 25 °C),0.19 A (TA = 100 °C)
导通电阻2 Ω最大 · 10V
阈值电压2 V典型

规格书核对参数

16 项
参数值和测试条件出处
沟道N-Channel
耐压60 V
连续漏极电流0.3 A (TA = 25 °C), 0.19 A (TA = 100 °C)
导通电阻2 Ω max. at VGS = 10 V
阈值电压2 V (typ.)
封装SOT-23
工作温度-55 to +150 °C
RoHSLead (Pb)-free
无卤Halogen-free
栅源电压±20 V
脉冲漏极电流0.8 A
耗散功率0.35 W (TA = 25 °C), 0.14 W (TA = 100 °C)
结到环境热阻350 °C/W
栅极电荷0.4 nC (typ.)
配置Single
ESD保护2000 V
全部参数(4 项)展开收起
电源
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)300mA
其他
导通电阻(RDS(on))2Ω@10V,500mA
数量1个N沟道

引脚与封装

SOT-23 (TO-236)
SOT-23 (TO-236)
封装:SOT-23
脚位名称功能出处
1栅极 (G)
2源极 (S)
3漏极 (D)

器件图片

技术资料

规格书核对内容由 AI 从原厂规格书提取,点页码查看原文。