2N7002ET1G-MS
晶体管 - FET，MOSFET - 单此款N沟道MOS管采用SOT-23封装，他具备低内阻，低功耗,搭载连续漏极电流(Id)：300MA,VDSS:60V，被广泛应用于各种电子设备中，包括电池供电设备、LED驱动电路、电机控制、逻辑电平转换、保护电路以及各种电源管理应用，是你PCB中理想的7002
沟道N 沟道
耐压60 V
连续漏极电流300 mA
导通电阻2.2 Ω
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沟道N 沟道
耐压60 V
连续漏极电流300 mA
导通电阻2.2 Ω最大 · 10V
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 连续漏极电流(Id) | 300mA |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.2Ω@10V,300mA |
| 数量 | 1个N沟道 |