2N7002-G
onsemi美国

2N7002-G

末批订购单 FET,MOSFETSOT-23-3

FET 60V 5.0 OHM SOT23

查看替代型号问 AI FAE
沟道N 沟道
耐压60 V
连续漏极电流115 mA
导通电阻7.5 Ω

全部替代型号

查看完整报告

已收录 1 个替代型号,登录后查看。

技术参数

沟道N 沟道
耐压60 V
连续漏极电流115 mA
导通电阻7.5 Ω最大 · 500mA
阈值电压2.5 V最大 · 250μA
电源
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C115mA (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)5V, 10V
Power Dissipation (Max)200mW (Tc)
环境与封装
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
PackageTape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device PackageSOT-23-3
其他
Base Product Number2N7002
FET Feature-
FET TypeN-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds50 pF @ 25 V
Mfronsemi
Product StatusLast Time Buy
Rds On (Max) @ Id, Vgs7.5Ohm @ 500mA, 10V
Series-
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

器件图片

技术资料

该型号暂未收录资料。