POWER BJT

问 AI FAE
类型NPN
集射极耐压80 V
集电极电流20 A
功率100 W

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技术参数

类型NPN
集射极耐压80 V
集电极电流20 A最大
功率100 W最大
电源
Current - Collector Cutoff (Max)-
Current - Collector (Ic) (Max)20 A
Power - Max100 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)80 V
交流 / 直流特性
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce-
Frequency - Transition-
环境与封装
Mounting TypeStud Mount
Operating Temperature-65°C~200°C(TJ)
PackageBulk
Package / CaseTO-211MB, TO-63-4, Stud
Supplier Device PackageTO-63
其他
MfrMicrochip Technology
Product StatusActive
Series-
Transistor TypeNPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic500mV @ 1mA, 10mA

技术资料

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