2N3583 PBFREE

2N3583 PBFREE

末批订购晶体管 - 双极(BJT) - 单管TO-66

TRANS NPN 175V 1A TO-66

查看替代型号问 AI FAE
类型NPN
集射极耐压175 V
集电极电流1 A
放大倍数 hFE40

全部替代型号

查看完整报告

已收录 1 个替代型号,登录后查看。

技术参数

类型NPN
集射极耐压175 V
集电极电流1 A最大
放大倍数 hFE40500mA
功率35 W最大
电源
Current - Collector Cutoff (Max)10mA
Current - Collector (Ic) (Max)1 A
Power - Max35 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)175 V
交流 / 直流特性
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce40 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition10MHz
环境与封装
Mounting TypeThrough Hole
Operating Temperature-65°C~200°C(TJ)
PackageTube
Package / CaseTO-213AA, TO-66-2
Supplier Device PackageTO-66
其他
MfrCentral Semiconductor Corp
Product StatusLast Time Buy
Series-
Transistor TypeNPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic5V @ 125mA, 1A

器件图片

技术资料

该型号暂未收录资料。