TDSEMIC(拓电半导体)中国

1N5817W SJ-TD(0.66)

单二极管

特性：金属硅结，多数载流子传导。 过压保护。 低功耗，高效率。 高电流能力。 低正向压降。 高浪涌能力。 适用于低电压、高频逆变器、续流和极性保护应用

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反向耐压20 V
平均整流电流1 A
正向压降750 mV

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技术参数

反向耐压20 V
平均整流电流1 A
正向压降750 mV最大 · 3A
电源
整流电流1A
其他
二极管配置1个独立式
正向压降(Vf)750mV@3A
直流反向耐压(Vr)20V

技术资料

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