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1N5711

在产单二极管

General Purpose Schottky Diode

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技术参数

Dynamic Resistance(ohms)	35.0
Junction Capacitance(pF)	1.000
Total Capacitance(pF)	2.000
Vb	70.00
Vf(V)	0.4100

技术资料

数据手册数据手册 · 512.3 KB · 2026-09-23 应用笔记应用笔记 · 1.9 MB · 2026-09-23 应用笔记应用笔记 · 1.5 MB · 2026-09-23 应用笔记应用笔记 · 510.0 KB · 2026-09-23

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