1N1190R

1N1190R

在产单二极管

DIODE GEN PURP REV 600V 35A DO5

反向耐压600 V
平均整流电流35 A
正向压降1.2 V
类型标准

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技术参数

反向耐压600 V
平均整流电流35 A
正向压降1.2 V最大 · 35 A
类型标准Standard Recovery >500ns,> 200mA (Io)
电源
Current - Average Rectified (Io)35A
Current - Reverse Leakage @ Vr10 µA @ 50 V
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.2 V @ 35 A
环境与封装
Mounting TypeChassis, Stud Mount
Operating Temperature - Junction-65°C ~ 190°C
PackageBulk
Package / CaseDO-203AB, DO-5, Stud
Supplier Device PackageDO-5
其他
Base Product Number1N1190R
Capacitance @ Vr, F-
MfrGeneSiC Semiconductor
Product StatusActive
Series-
SpeedStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
TechnologyStandard, Reverse Polarity

器件图片

技术资料