Analog Devices Inc.美国

175DFN 8L

JFET
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技术参数

电源
栅源击穿电压(Vgss)30V
环境与封装
工作温度-55℃~+135℃@(Tj)
其他
导通电阻(RDS(on))125Ω
耗散功率(Pd)350mW

技术资料

数据手册数据手册 · 410.7 KB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 207.1 KB · 2026-09-21
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