Analog Devices Inc.美国

175 DFN 8L ROHS

JFET
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技术参数

电源
栅源击穿电压(V(BR)GSS)60V
栅源截止电压(VGS(off))4.5V@1nA
其他
FET类型2个N沟道
耗散功率(Pd)400mW

技术资料

数据手册数据手册 · 410.7 KB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 209.6 KB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 207.1 KB · 2026-09-21
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