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在产单 FET,MOSFETSOT-23

N100V,RD(MAX)<250M@10V,RD(MAX)<2

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沟道N 沟道
耐压100 V
连续漏极电流2 A
导通电阻250 mΩ

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技术参数

沟道N 沟道
耐压100 V
连续漏极电流2 A
导通电阻250 mΩ最大 · 2A
阈值电压3 V最大 · 250μA
电源
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2A
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Power Dissipation (Max)1.3W
环境与封装
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
PackageTape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device PackageSOT-23
其他
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds387 pF @ 10 V
MfrGoford Semiconductor
Product StatusActive
Rds On (Max) @ Id, Vgs250mOhm @ 2A, 10V
Series-
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

技术资料

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