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SI2312A
国产替代
型号
原型号
HX
HXY MOSFET(华轩阳电子)
SI2312A
导通电阻(RDS(on))
27mΩ@4.5V
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
20V
耗散功率(Pd)
1.25W
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