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MSN06M3E
国产替代
型号
原型号
MO
摩矽-MORESEMI
MSN06M3E
ID-最大漏极电流
0.3A
Qg-栅极电荷
NnC
RDS(on)-漏源导通阻抗
1000mΩ
VDSS-最大漏源电压
60V
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