MMBTA56WT1G-HXY 国产替代 型号

原型号

HX

HXY MOSFET(华轩阳电子)MMBTA56WT1G-HXY

直流电流增益(hFE)300@10mA,5V耗散功率(Pd)200mW集射极击穿电压(Vceo)150V集电极电流(Ic)600mA