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MJD127G 国产替代 型号

MJD127G
原型号
HXY MOSFET(华轩阳电子)MJD127G
直流电流增益(hFE)8000@2A,5V耗散功率(Pd)2W集射极击穿电压(Vceo)100V集电极电流(Ic)5A