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MJD127G
国产替代
型号
原型号
HX
HXY MOSFET(华轩阳电子)
MJD127G
直流电流增益(hFE)
8000@2A,5V
耗散功率(Pd)
2W
集射极击穿电压(Vceo)
100V
集电极电流(Ic)
5A
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