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4N60L-TA3-T-VB 国产替代 型号

原型号
VBsemi(微碧半导体)4N60L-TA3-T-VB
导通电阻(RDS(on))1.7Ω@10V,3.1A数量1个N沟道漏源电压(Vdss)650V连续漏极电流(Id)4.5A