Results forSI1553CDL-T1-GE3

MOSFET N/P-CH 20V SC70-6

这款场效应管（MOSFET）涵盖N沟道与P沟道类型，能够提供高达0.8A的连续排水电流（ID），并在最大20V的漏源电压（VDSS）下稳定运行。其导通电阻（RDSON）仅为320毫欧，在导通状态下能有效降低功耗。该MOSFET支持±12V的最大栅源电压（VGS），适合用于设计要求紧凑高效的应用场景，例如小型电子设备中的开关电源或电池保护电路等。

台积电流片，长电科技封装；是一款双N型和P型沟道功率MOSFET，采用Trench工艺，适用于各种需要同时控制正负极电流的应用场合。SC70-6；N+P—Channel沟道,±20V；3.28/-2.8A；RDS(ON)=90/155mΩ@VGS=4.5V,VGS=20V；Vth=±0.45~1V；