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MOSFET 2N-CH 60V 3.8A 8SO

MOSFET 2N-CH 60V 3.8A 8-SOIC

应用于电脑、DC/DC转换器的电源管理等等。

台积电流片，长电科技封装；是一款双N+P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、汽车电子系统、工业机器人、变频器和PLC等控制系统模块、家用电器控制器、LED驱动器等领域。SOP8；2个N—Channel沟道,60V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；

ZXMN6A25DN8TA 的N+N沟道MOS管，采用SOP-8封装方式，专为高功率密度和高效能电路设计。该器件具备优越的电气性能，最大工作电压VDSS高达60V，连续电流ID高达6.5A，适用于高电压大电流应用场景。其导通电阻RD(on)仅为32mR，确保在大电流传输时最大限度降低功率损耗，提升整体系统效率。广泛应用于电源转换、电机驱动控制、电池管理系统等众多领域，是工程师设计高性能、节能电子设备的优选MOS管组件。