搜索结果:ZXMN6A09DN8
共 5 条- 匹配型号5
- 有数据手册4
- 涉及品牌2
产品搜索结果共 5 条
| 对比 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 产品描述 | 技术资料 | 替代 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| FET,MOSFET 阵列 | 数据手册1 | 查看详情 | |||||
| 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8-SOIC | 数据手册2 | 查看详情 | ||||
| FET,MOSFET 阵列 | MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8SO | 查看详情 | |||||
| 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8SOIC | 数据手册1 | 查看详情 | ||||
| 晶体管 - FET,MOSFET - 单 | 台积电流片,长电科技封装;是一款双N+P沟道场效应晶体管,采用Trench工艺,适用于电源管理模块、汽车电子系统、工业机器人、变频器和PLC等控制系统模块、家用电器控制器、LED驱动器等领域。SOP8;2个N—Channel沟道,60V;6A;RDS(ON)=28mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1.5~2.5V; | 数据手册1 | 查看详情 |
第 1–5 条,共 5 条
没找到想要的型号?
让 AI 帮你联网查找,或者直接告诉客服。
申请芯片样品
填写型号和样品需求,供样安排确认后会联系你。