搜索结果：SIHG44N65EF-GE3
共 5 条- 匹配型号5
- 有数据手册5
- 涉及品牌4
产品搜索结果共 5 条
| 对比 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 产品描述 | 技术资料 | 替代 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 晶体管 - FET，MOSFET - 单 | MOSFET N-CH 650V 46A TO247AC | 数据手册2 | 查看详情 | ||||
| 单 FET，MOSFET | MOSFET N-CH 650V 46A TO247AC | 数据手册2 | 查看详情 | ||||
| 晶体管 - FET，MOSFET - 单 | 数据手册3 | 查看详情 | |||||
| 晶体管 - FET，MOSFET - 单 | 台积电流片，长电科技封装；TO247；N—Channel沟道；650V；47A；RDS(ON)=50(mΩ)；VGS=±30V；Vth=3.5V；采用SJ_Multi-EPI技术； | 数据手册1 | 查看详情 | ||||
| 单 FET，MOSFET | 本N沟道增强型场效应管（MOSFET）具有650V漏源电压（VDSS）、29A最大连续漏极电流（ID）及60mΩ低导通电阻（RDON），支持高功率密度与高效率电路设计。器件具备优异的开关性能和热稳定性，适用于电源适配器、储能系统、智能家电以及电机驱动等各类高性能电子设备中的功率控制应用，可满足高频、高压工作环境的技术需求。 | 数据手册1 | 查看详情 |
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