搜索结果：SI3434DV-T1-GE3
共 3 条- 匹配型号3
- 有数据手册1
- 涉及品牌3
产品搜索结果共 3 条
| 对比 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 产品描述 | 技术资料 | 替代 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 晶体管 - FET，MOSFET - 单 | MOSFET N-CH 30V 4.6A 6TSOP | 查看详情 | |||||
| 单 FET，MOSFET | 查看详情 | ||||||
| 晶体管 - FET，MOSFET - 单 | 台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应管，具有小型封装和低功耗特性，采用Trench工艺制造。适用于小型电路控制和低功率应用的高性能MOSFET产品。SOT23-6；N—Channel沟道,30V；6A；RDS(ON)=23mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.5~1.5V； | 数据手册1 | 查看详情 |
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