搜索结果:SI2333DDS
共 10 条- 匹配型号10
- 有数据手册9
- 涉及品牌6
产品搜索结果共 10 条
| 对比 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 产品描述 | 技术资料 | 替代 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 晶体管 - FET,MOSFET - 单 | 数据手册9 | 查看详情 | |||||
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| 晶体管 - FET,MOSFET - 单 | MOSFET P-CH 12V 6A SOT23-3 | 数据手册2 | 查看详情 | ||||
| 晶体管 - FET,MOSFET - 单 | 数据手册1 | 查看详情 | |||||
| 晶体管 - FET,MOSFET - 单 | P-CHANNEL 12-V (D-S) MOSFET | 数据手册2 | 查看详情 | ||||
| 晶体管 - FET,MOSFET - 单 | 数据手册3 | 查看详情 | |||||
| 晶体管 - FET,MOSFET - 单 | P沟道,Vds=-12V,Id=-6A | 数据手册3 | 查看详情 | ||||
| 晶体管 - FET,MOSFET - 单 | 应用于电脑、DC/DC转换器的电源管理等等。 | 数据手册8 | 查看详情 | ||||
| 晶体管 - FET,MOSFET - 单 | 数据手册5 | 查看详情 | |||||
| 晶体管 - FET,MOSFET - 单 | 台积电流片,长电科技封装;是一款单P型场效应管,采用Trench工艺制造,适用于多种电源和功率控制应用,包括但不限于便携式电子设备、电源管理、电池充放电控制和LED照明等领域的模块设计。SOT23;P—Channel沟道,-20V;-4A;RDS(ON)=60mΩ@VGS=4.5V,VGS=±12V;Vth=-0.5~-1.5V; | 数据手册1 | 查看详情 |
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