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这款消费级P沟道MOSFET采用小型SOT-23封装，额定电压为20V，具备高达7A的大电流承载能力。凭借其低导通电阻与快速开关特性，广泛应用于电池保护、电源转换等高效率电子设备中，实现稳定可靠的功率控制。

MOSFET P-CH 12V 7.1A SOT23-3

P沟道,-12V,-7.1A,0.035Ω@-4.5V

P-CHANNEL 12-V (D-S) MOSFET

P-CHANNEL 12-V (D-S) MOSFET

MOSFET P-CH 12V 7.1A SOT23-3

本产品是一款P型场效应管，具有7A的电流承载能力，最高20V的工作电压。其内阻典型值为20mΩ，栅源极电压VGS为12V。适用于多种应用场景，如电源管理、信号放大等，确保系统稳定运行。低内阻保证了高效率和低损耗。

台积电流片，长电科技封装；SOT23；P—Channel沟道,-20V；-5A；RDS(ON)=34mΩ@VGS=4.5V,VGS=8V；Vth=-0.45~-1V；是一款单P通道功率MOSFET，采用Trench工艺制造，适用于各种低压、小功率的电源管理、开关控制、信号放大和电路保护等领域。

台积电流片，长电科技封装；是一款单P型场效应管，采用Trench工艺制造，适用于多种电源和功率控制应用，包括但不限于便携式电子设备、电源管理、电池充放电控制和LED照明等领域的模块设计。SOT23；P—Channel沟道,-20V；-4A；RDS(ON)=60mΩ@VGS=4.5V,VGS=±12V；Vth=-0.5~-1.5V；

P-Channel MOSFET