搜索结果：SI2300

1个N沟道 耐压:20V 电流:6A适用于电源开关和信号控制

N沟道,20V,4.0A,,25.0mΩ@4.5V,0.75V@250uA；应用领域：DC/DC转换器、便携式设备负载开关、LED驱动器、电源模块等。

本产品是一款N型场效应管，具有6A的电流承载能力，最高20V的工作电压。其内阻典型值为22mΩ，适用于低电阻、高效率的应用场景。VGS为12V，确保稳定的开关控制。适合用于电源管理、信号放大等多种电子设备中。(SI2300DS-T1-GE3)

SOT-23 应用消费电子、工控通信、汽车电子

N沟道 20V 5A

丝印A0SHB

场效应管(MOSFET)

MOS配置 独立式；沟道类型 N 沟道；漏源击穿电压（Vds) 30V；连续漏极电流（Id) 3.5A；栅极开启电压 (Vgs (th)) 1~3V；导通内阻 (Rds (on))≤60mΩ@Vgs=4.5V；耗散功率 (Pd) 1.25W；工作结温范围 - 55℃~+150℃

MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23-3

-

SI2300B SOT-23场效应管