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这款场效应管采用P型设计，适用于高效能应用。其关键参数包括：11A的最大电流承载能力，30V的漏极-源极电压，以及13mΩ的典型内阻。VGS为20V，确保了良好的控制性能。适合用于对电子系统稳定性和效率有较高要求的场景。(IRF7416TRPBF)

MOSFET P-CH 30V 10A 8SO

MOSFET P-CH 30V 10A 8SO

类型: P沟道 漏源电压(Vdss): 30V 连续漏极电流(Id): 9A

MOSFET P-CH 30V 10A 8SO

MOSFET P-CH 30V 10A 8SO

P沟道，-30V，-10.5A，13.5mΩ@-10V,-10A，-1.5V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

台积电流片，长电科技封装；是一款单通道功率场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源管理、驱动和汽车电子等多种领域的模块中，其高性能特性和可靠性使其成为各种功率应用的理想选择。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-9A；RDS(ON)=18mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；

这款消费级P沟道MOSFET采用紧凑型SOP-8封装，专为30V电压系统设计，具有高达9A的连续电流处理能力。器件具备出色的开关效率与低导通电阻特性，广泛应用在电池保护、电源管理及高功率负载切换等领域，是提升电子设备能效的理想选择。

适用于电池管理，高速开关，低功率 DC-DC 转换。