搜索结果:CMB60R110DFD

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对比产品型号品牌分类产品描述技术资料替代操作
单 FET,MOSFET

采用多层外延制造工艺和独特结构设计的超结MOS,产品具有比常规MOSFET更快的开关速度及更柔和的开关曲线,在低开关损耗的同时也抑制了开关震荡,提高系统效率、降低发热量,简化系统的EMC设计。基于其高效率、低温升的特点,特别适用于快速充电器、LED电源、通讯、服务器电源、电动车充电桩、车载电源系统等系统应用。

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