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MOSFET P-CH 20V 2A SOT23-3L

MOSFET P-CH 20V 2A SOT23-3L

这款P沟道场效应管（MOSFET）提供2.3A的连续漏极电流（ID/A），适用于需要精确电流控制的应用。其最大工作电压（VDSS/V）为20V，适合在低压系统中使用。导通电阻（RDSON/mR）为120毫欧，使得在导通状态下的功耗较低。栅源电压（VGS/V）最大值为12V，提供了稳定的驱动条件。此MOSFET可用于便携式设备、电池保护电路或任何需要高效能低功率切换的应用中。

MOSFET P-CH 20V SOT23

停产 1个P沟道 耐压:20V 电流:2A

台积电流片，长电科技封装；是一款单P型场效应管，采用Trench工艺制造，适用于多种电源和功率控制应用，包括但不限于便携式电子设备、电源管理、电池充放电控制和LED照明等领域的模块设计。SOT23；P—Channel沟道,-20V；-4A；RDS(ON)=60mΩ@VGS=4.5V,VGS=±12V；Vth=-0.5~-1.5V；

AO3423 P沟道MOSFET，选用小巧型SOT-23-3L封装，专为高效能、低功耗电路设计。该器件拥有出色电气参数，最大工作电压VDSS高达20V，可承受连续电流ID4.1A，而其优秀的导通电阻仅34mR，有效降低了功率损耗并提升了系统效率。广泛应用于电源管理、负载开关、电机驱动等领域，AO3423 以卓越的性能表现和高度可靠性，成为电路设计师的理想元件选择。

适用于各类中低电压、高效率开关应用。卓越的导通性能与低RDS(ON)，使之成为充电器、LED驱动、DC/DC转换等领域的理想选择。

SOT23；P—Channel沟道,-20V；-4A；RDS(ON)=60mΩ@VGS=4.5V,VGS=±12V；Vth=-0.5~-1.5V；

P-Channel MOSFET

数量1个P沟道 漏源电压(Vdss)20V 连续漏极电流(Id)3A 导通电阻(RDS(on))70mΩ@4.5V